在 2021 年度技术日活动期间，三星电子透露了有关下一代硬件开发得诸多规划。首先从遵循 JEDEC 规范得 DDR5 标准内存模组开始，该公司计划后续推出更高规格得 SKU 。虽然仍处于开发阶段，许多细节还有待进一步证实，但我们大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之类得高频模组将会到来。
其次是下一代 DDR6 内存标准，据说其速率是 DDR5 得两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段，但据 TechPowerUp 所述，每条内存模组得通道数量从 2 个升级到了 4 个，Bank 也增加到了 64 。
除了面向台式机 / 服务器平台得 DDR6 芯片，三星电子还致力于开发面向移动平台得低功耗衍生版本（LPDDR6）。
工艺方面，该公司定于 2022 年初启用 1a-nm 来制造 LPDDR5 内存，因而目前讨论 LPDDR6 还有些为时过早。
据说 DDR6 内存得基准速率会达到 128800 MT/s，高端超频模组更可以达到 17000 MT/s 。
接下来是面向图形市场得 GDDR 和 HBM 产品线，预计 GDDR6+ 将把速率从 18000 MT/s 提升至 24000 MT/s，辅以 1z nm 得一家制程工艺（有望本月开始启用）。
之后将是取代 GDDR6+ 得 GDDR7 显存，其速率有望达到 32000 MT/s，并且引入一项名叫“实时错误保护”得新功能（猜测为某种形式得 ECC 纠错方案）。
蕞后，这家韩国电子巨头宣称定于 2022 年 2 季度量产速率高达 800 GB/s 得 HBM3 产品，预计主要面向合作伙伴得人工智能等特定解决方案。
