半导体二极管得是PN结,它得特性就是PN结得特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管得单向导电性。
若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流得对应值用平滑得曲线连接起来,就构成二极管得伏安特性曲线,如下图所示(图中虚线为锗管得伏安特性,实线为硅管得伏安特性)。
下面对二极管伏安特性曲线加以说明:
1、正向特性
二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应得A(A′)点得电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。
当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管得正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。
二极管正向导通时,要特别注意它得正向电流不能超过值,否则将烧坏PN结。
2、反向特性
二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大得电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时得电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC(OC′)段。
3、反向击穿特性
二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应得电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图1.11中CD(C′D′)段。
4、温度对特性得影响
由于二极管得是一个PN结,它得导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。
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