如图2-6（a）所示，TVS二极管（ESD保护二极管）在短时间内吸收很高得过电压，其作用是避免对其它半导体器件施加过大得电压。另一方面，如图2-6（b）所示，齐纳二极管将输入电压钳制为恒定电压，并将钳制得电压提供给其它半导体器件。
因此两者得差异在于，TVS二极管吸收浪涌电压以保护其它半导体器件，而齐纳二极管为其它半导体器件提供恒定电压。
图2-6（a）TVS二极管得用途 图2-6（b）齐纳二极管得用途
[TVS二极管：参见图2-7（a）]
TVS二极管通常用于反向阻塞状态。（几乎没有电流流动，只施加电压。）
只有当电压超过一定电压（钳位电压）并施加到TVS二极管时，才会发生击穿（钳位）。
图2-7（a）TVS二极管使用区域
齐纳二极管通常用于击穿状态。
假设击穿（齐纳）电流总是在正常状态下流动。
图2-7（b）齐纳二极管使用区域
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