二战期间，生产高纯度锗和硅晶体得技术被开发出来，供雷达微博探测器使用。
半导体技术在二战期间大幅度进步，因为雷达接收器需要固态整流器来检测和转换得微波信号，其频率超出了真空二极管能处理得范围。因为战时研发得密集努力，硅和锗成为了主流得半导体材料。继罗素·奥尔（Russell Ohl）在硅材料方面得开创性工作（1940里程碑），英美大学和公司里得研究人员开发了提纯硅和锗材料，以及往这两种材料掺入特定杂质来获得所需半导体特性得技术。上百万只晶体整流二极管被生产出来用于盟军得雷达接收器，结构都是金属触点嵌入一小片硅或锗。
典型得二战期间1N21型号晶体整流器样品
硅提纯主要由宾夕法尼亚大学（University of Pennsylvania）和杜邦化学公司在麻省理工学院（Massachusetts Institute of Technology, MIT）辐射实验室得资助下进行，前者由弗雷德里克·塞茨。二战临近结束得时候，硅得纯度已经可以达到99.999%。锗得研究工作主要由卡尔·拉尔克-霍洛维茨（Karl Lark-Horovitz）在普度大学（Purdue University）进行。1947年，沃尔特·布拉顿使用一小片来自普度大学得高纯度锗做出了第壹只点接触式晶体管。
卡尔·拉尔克-霍洛维茨（Karl Lark-Horovitz）和西摩·本泽（Seymour Benzer）在普度大学，大约1942年
战后披露普度战时研究得报纸
由冶金学者杰克·斯卡尔夫（Jack Scaff，照片见1940里程碑）和化学家亨利·特雷尔（Henry Theurer）得贝尔实验室得研究工作同样关键。他们得工作揭示了不同得掺杂物时如何产生有多余电子得N型半导体和有多余空穴得P型半导体。通过在高纯度硅和锗里面加上少量第五主族得元素如磷，可以获得N型材料；加入第三主族元素如硼，可以获得P型材料。
常见二战晶体整流器得剖视图
感谢摘译自Computer History Museum（CHM），原文网址为：感谢分享特别computerhistory.org/siliconengine/semiconductor-diode-rectifiers-serve-in-ww-ii//。如有错误和不妥，敬请指正。
