购买半导体芯片的合同中，应该注意以下几个方面的质量要求细节：
1. 芯片型号和规格要求：合同中应详细说明所购买的芯片型号、规格和等级等信息。
2. 质量标准：应明确芯片的质量标准，包括可靠性、性能指标、安全性等要求。
3. 交货期限：合同中应规定芯片交货的时间和地点，确保供货及时，并避免因交货延误造成的损失。
4. 包装和运输：合同中应规定芯片的包装和运输方式，确保芯片在运输过程中不受损坏。
5. 质量保证：合同中应规定芯片的质量保证期，及保修范围与方式等。
6. 付款方式：合同中应明确付款方式，如预付款、货到付款、信用证等。
7. 违约责任：应规定供货方和采购方的违约责任以及解决争议的方式。
8. 其他条款：如保密条款、知识产权归属、技术支持、售后服务等。
购买半导体芯片是一项高风险、高技术含量的采购活动，合同条款的质量要求必须严格，并且需要由专业人士审核确认，以确保交易的可靠性和合法性。
半导体zip封装技术是什么意思
根据《中华人民共和国机械行业标准》（GB/T 20886-2018），第一部分：机械行业一般标准中关于半导体皱纹纸的国家标准主要包括以下几个方面：
一. 皱纹纸的尺寸标准：
1. 皱纹纸的外径：不小于76.2毫米；
2. 皱纹纸的厚度：0.1毫米-1.6毫米；
二. 皱纹纸的使用条件标准：
1. 皱纹纸可以在温度范围内使用，一般为-40℃～+150℃；
2. 皱纹纸的相对湿度范围：≤90％RH；
三. 皱纹纸结构要求：
1. 皱纹纸应具有良好的弹性、韧性和耐撕裂性；
2. 皱纹纸应具有耐冷性、耐热冲击性、耐紫外线性能好等特性；
3. 皱纹纸芯粒附着牢固，不应掉落。
四. 皱纹纸的选择要求：
1. 皱纹纸的原料选择：
正常温度下用橡胶，超低温时（低于-40℃）应用聚氨酯（UHMWPE），耐油性优良的用聚酯（PET）或聚乙烯（PE）等；
2. 皱纹纸应具有抗粘聚、耐湿热变形性好等特性；
3. 皱纹纸表面应光滑细腻，无碳粒、有机物等杂质；
4. 皱纹纸应适应应用压力，及和工作环境的其他条件。
关于电子元器件封装的一点“干货”请笑纳！
您好，我是深圳东科半导体资深技术师，我公司在半导体研发上技术非常成熟，下面请我为你解答，
IC的定义：IC就是半导体元件产品的统称。包括：1.集成电路板(integratedcircuit，缩写：IC)； 2.二、三极管；3.特殊电子元件。再广义些讲还涉及所有的电子元件，象电阻，电容，电路版/PCB版，等许多相关产品。
IC产品等级行业标准：产品等级的界定主要依据产品的外包装，将等级按字母顺序由A到E排列：A1级：原厂生产，原包装,防静电包装完整 （说明：来源于正规渠道或独立分销商，在规定质保期内，产品可靠性最高。即“全新原装货品”）
A2级：原厂生产，原包装,防静电包装不完整，已经被打开 （说明：来源于正规渠道或独立分销商，在规定质保期内。即“全新货品”）
A3级：原厂生产 （说明：工厂积压或剩余货料，批号统一。有可能生产日期较早。即“工厂剩货”）注：A1、A2、A3级在市场统称为“新货”
B1级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号统一，为原厂统一打标。通过特殊渠道流入市场的，产品质量可靠性不确定）
B2级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，但因某些原因未在产品表面打印字样，产品质量可靠性不确定。一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）
B3级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号不统一，为原厂统一打标。通过特殊渠道流入市场的，产品质量可靠性不确定。一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）
B4级：未使用，有包装 （说明：由原厂生产，但是产品存放环境不适宜，或者产品存放时间过久。产品管脚氧化。产品质量不确定）注：B1、B2、B3、B4级在市场统称为“散新货”
C1级：由非原厂生产，全新未使用，完整包装 （说明：一些由大陆、台湾或其他海外国家或地区生产的产品，完全按照原品牌工厂的规格要求进行包装和封装，功能完全相同，并印有原品牌厂商字样。产品质量不确定。不如原厂正品质量可靠性高。即“仿制品”）
C2级：全新未使用 （说明：由功能相同或者相近的产品，去掉原有的标识改换为另外一种产品标识的。即“替代品改字”，市场统称“替代品”）
D1级：无包装，使用过，产品管脚没有损伤，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上直接拔下，如一些DIP,PLCC，BGA封装的可以直接拔下的。即“旧货”）
D2级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上直接拆卸，管脚被剪短的。此类产品有可能会被后期处理过，将已经被剪短的管脚拉长或者接长。即“旧片剪切片”）
D3级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。并重新处理管脚。即“旧片”）
D4级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。重新处理管脚。并且重新打标的。即“旧货翻新片”）
D5级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：旧货，但是属于可编程器件，内置程序不可擦写）注：D1、D2、D3、D5级在市场统称为“旧货”
E1级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，产品质量未通过质检。本应该被销毁的，但是通过特殊渠道流通到市场的。质量不可靠。即“等外品”，市场统称为“次品”）
E2级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：将部分产品工业级别的改为军品级别的。质量很不稳定，安全隐患极大。即“改级别”，市场统称“假货”）
E3级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：用完全不相关的产品打字为客户需求的产品。有的是外观相同，有的外观都不相同。即“假冒伪劣”，市场统称“假货”）
T1级：完整包装 （说明：由原厂为特定用户订制的某产品。有可能只有该用户产品才能使用）
T2级：完整包装 （说明：由第三方采用原厂芯片晶圆进行封装的。产品质量一般可靠。一般为停产芯片）
注：T1级、T2级在市场统称为“特殊产品”
IC产品等级行业标准：产品等级的界定主要依据产品的外包装，将等级按字母顺序由A到E排列：
A1级：原厂生产，原包装,防静电包装完整 （说明：来源于正规渠道或独立分销商，在规定质保期内，产品可靠性最高。即“全新原装货品”）
A2级：原厂生产，原包装,防静电包装不完整，已经被打开 （说明：来源于正规渠道或独立分销商，在规定质保期内。即“全新货品”）
A3级：原厂生产 （说明：工厂积压或剩余货料，批号统一。有可能生产日期较早。即“工厂剩货”）注：A1、A2、A3级在市场统称为“新货”
B1级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号统一，为原厂统一打标。通过特殊渠道流入市场的，产品质量可靠性不确定）
B2级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，但因某些原因未在产品表面打印字样，产品质量可靠性不确定。一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）
B3级：非原厂包装或无包装，未使用，可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号不统一，为原厂统一打标。通过特殊渠道流入市场的，产品质量可靠性不确定。一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）
B4级：未使用，有包装 （说明：由原厂生产，但是产品存放环境不适宜，或者产品存放时间过久。产品管脚氧化。产品质量不确定）注：B1、B2、B3、B4级在市场统称为“散新货”
C1级：由非原厂生产，全新未使用，完整包装 （说明：一些由大陆、台湾或其他海外国家或地区生产的产品，完全按照原品牌工厂的规格要求进行包装和封装，功能完全相同，并印有原品牌厂商字样。产品质量不确定。不如原厂正品质量可靠性高。即“仿制品”）
C2级：全新未使用 （说明：由功能相同或者相近的产品，去掉原有的标识改换为另外一种产品标识的。即“替代品改字”，市场统称“替代品”）
D1级：无包装，使用过，产品管脚没有损伤，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上直接拔下，如一些DIP,PLCC，BGA封装的可以直接拔下的。即“旧货”）
D2级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上直接拆卸，管脚被剪短的。此类产品有可能会被后期处理过，将已经被剪短的管脚拉长或者接长。即“旧片剪切片”）
D3级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。并重新处理管脚。即“旧片”）
D4级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。重新处理管脚。并且重新打标的。即“旧货翻新片”）
D5级：无包装，属于旧货。可能被销售商重新包装 （说明：旧货，但是属于可编程器件，内置程序不可擦写）注：D1、D2、D3、D5级在市场统称为“旧货”
E1级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，产品质量未通过质检。本应该被销毁的，但是通过特殊渠道流通到市场的。质量不可靠。即“等外品”，市场统称为“次品”）
E2级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：将部分产品工业级别的改为军品级别的。质量很不稳定，安全隐患极大。即“改级别”，市场统称“假货”）
E3级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：用完全不相关的产品打字为客户需求的产品。有的是外观相同，有的外观都不相同。即“假冒伪劣”，市场统称“假货”）
T1级：完整包装 （说明：由原厂为特定用户订制的某产品。有可能只有该用户产品才能使用）
T2级：完整包装 （说明：由第三方采用原厂芯片晶圆进行封装的。产品质量一般可靠。一般为停产芯片）注：T1级、T2级在市场统称为“特殊产品”
东科半导体有限公司是一家芯片设计研发、生产一体的企业，公司位于深圳市宝安区。主要设计生产电源类芯片、 触摸控制类芯片。所生产的芯片广泛应用于充电器、电源适配器、LED驱动电源、DVD/DVB电源等领域。
芯片是什么?用什么材料做的?有什么特点和用途
当我们在查询或是采购 电子元器件 经常可以看到在元器件的参数栏有关于封装的叙述，那么这元器件的封装到底是什么呢？
一、什么叫封装
封装意味着硅芯片上的电路引脚通过导线连接到外部连接器以与其他设备连接。封装形式是指用于安装半导体集成电路芯片的情况。它不仅可以安装，固定，密封，保护芯片，提高电热性能，还可以通过芯片上的导线连接到封装的引脚，这些引脚穿过印刷电路板上的导线。它连接到其他设备以将内部芯片连接到外部电路。因为芯片必须与外界隔离以防止空气中的杂质腐蚀芯片电路，所以电性能降低。另一方面，封装芯片也更易于安装和运输。这一点至关重要，因为封装技术的质量直接影响芯片本身的性能以及与之相连的PCB（印刷电路板）的设计和制造。
芯片面积与封装面积之比是衡量芯片封装技术是否先进的重要指标。比率越接近越好。包装的主要考虑因素如下：
1、芯片面积与封装面积之比提高包装效率，尽量接近1:1；
2。引脚应尽可能短，以减少延迟和引脚之间的距离，以确保互不干扰和提高性能；
3、根据散热要求，包装越薄越好。
该封装主要分为DIP双列直插式和SMD贴片封装。在结构方面，封装经历了最早的晶体管TO（例如TO-89，TO92）封装，并发展成双列直插式封装。随后，PHILIP开发了一个小型SOP封装，后来衍生出SOJ（J型）。引脚小外形封装），TSOP（薄外形封装），VSOP（超小外形封装），SSOP（减少SOP），TSSOP（薄型减薄SOP）和SOT（小外形晶体管），SOIC（小外形）集成电路）等等。从材料介质，包括金属，陶瓷，塑料，塑料，仍然有很多金属包装用于需要高强度工作条件的电路，如军事和航空航天。
包装经历了以下发展过程：
结构方面：到-&<GT浸-<垃圾>plcc-<垃圾>qfp-<unkcsp=""<垃圾>=""李=""样式="盒式铸造；-网卡-Tap-高颜色：活性；">；
材料：金属，陶瓷-<陶瓷，塑料-<塑料；
销钉形状：长引线直入-<短引线或无引线安装-<球形凸点；
装配方法：通孔插入 - <表面装配 - <直接安装
二、具体的封装形式
1。SOP/SOIC包装
sop是英文小轮廓包的缩写，是一个小形状包。自1968年至1969年，飞利浦公司成功地开发了sap包装技术。后来，soj（jpin小形状包），tsop（薄小形状包），vsop（非常小形状包），ssop（小尺寸包），逐步推导出了薄尺寸晶体管和小形状晶体管。soic（小形状集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是双列直插式封装(Double In-Line Package)的缩写，即双列直插式封装。插件式封装中，引脚是从封装的两侧拉出来的，有两种包装材料：塑料和陶瓷。DIP是目前最流行的插件式封装，其应用范围包括标准逻辑IC、存储器LSI、微机电路等。
3、 PLCC封装
PLCC是塑料引线芯片载体，即塑料J引线芯片封装的缩写.PLCC封装形式为正方形，32销封装，全围绕销.形状因子比DIP封装小得多。PLCC封装适用于SMT表面安装技术在PCB上的安装和布线。它具有外形尺寸小、可靠性高等优点。
4、 TQFP封装
TQFP是英文薄四方扁平封装的缩写，是一种薄塑料四角扁平封装。四方扁平封装（TQFP）工艺有效地利用了空间，减少了对印刷电路板空间的需求。由于高度和尺寸减小，这种封装过程非常适用于PCMCIA卡和网络设备等空间关键应用。几乎所有ALTERA CPLD / FPGA都具有TQFP封装。
5、 PQFP封装
PQFP是英文塑料四方扁平封装的缩写，即塑料封装四方扁平封装。PQFP封装芯片的插脚距离很小，插脚很薄，一般采用大型或超大型集成电路这种封装形式，插脚数一般在100多个。
6、 TSOP封装
tsop是英国薄的小轮廓包的缩写，它是一个薄的，小尺寸的包。tsop存储器包装技术的一个典型特点是在包装芯片周围制造引脚。tsop适用于使用smt技术（表面安装技术）在pcbs（印刷电路板）上安装接线。当tsop封装大小时，寄生参数（电流变化大，造成输出电压扰动）减少，适合高频应用，操作相对方便，可靠性相对较高。
7、 BGA封装
BGA是Ball Grid Array Package(球栅阵列封装)的缩写，即球栅阵列封装。20世纪20年代和90年代，随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I-≤O引脚数量急剧增加，功耗也随之增加，对集成电路封装的要求也越来越高。为了适应发展的需要，BGA封装开始在生产中使用。
采用BGA技术封装的存储器可以在不改变内存大小的情况下将内存容量提高2~3倍。与TSOP相比，BGA的体积更小。更好的散热和电气性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大的提高，采用BGA封装技术在相同容量的存储产品中，体积仅为TSOP封装的1/3；此外，与传统的TSOP封装相比，BGA封装具有更快、更有效的散热方式。
BGA封装的I / O端子以封装下方的圆形或柱状焊点阵列的形式分布。 BGA技术的优点是尽管I / O引脚的数量增加，但引脚的间距不会减小而是会增加。提高装配产量虽然其功耗增加，但BGA可采用可控塌陷芯片方法焊接，以提高其电热性能与以前的包装技术相比，厚度和重量减少了寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高该组件可用于高可靠性的共面焊接。
说到BGA封装，我们必须提到Kingmax的专利微型BGA技术。微型BGA，英文称为微型球栅阵列，属于BGA封装技术的一个分支。1998年8月由金马公司开发。芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，在同一体积下可使存储容量增加2-3倍。与TSOP包装产品相比，具有体积小、散热性好、电气性能好等特点。
使用锡基布加包装技术的内存产品的体积仅为tsop包装的1/3。tsop封装存储器的引脚来自于芯片周围，而锡则来自于芯片的中心方向。该方法有效地降低了信号的传输距离。信号传输线的长度只有传统tsop技术的1/4，因此信号的衰减也减少了。这不仅大大提高了芯片的抗干扰、抗噪声性能，而且提高了电路性能。tinybga包装芯片可以抵抗高达300兆的外频，而传统的tsop包装技术只能抵抗150兆的外频。
TiNYBGA封装的存储器也更薄(封装高度小于0.8 mm)，从金属衬底到散热器的有效散热路径仅为0.36 mm。因此，TinyBGA存储器具有较高的导热效率，非常适合于长时间运行的系统，并且具有很好的稳定性。
广告产品有“AD”、“ADV”，还有“OP”或“Ref”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等。
后缀的说明：
1.在后缀中，J表示民用产品（0-70°C），N表示普通塑料封条，后缀中的R表示表面贴纸。
2。陶瓷密封，后缀为D或Q，工业级（45-85 C）。后缀h表示圆帽。
3、后缀sd或883为军品。
例如：jn dip封装jr表贴上jd dip陶瓷密封。
除去硅之外，制造芯片还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的芯片工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS(北木暴毕综合症)的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了芯片的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。
除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。芯片制造的准备阶段在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。
而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍芯片的制造过程。
单晶硅锭在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品芯片的质量。
单晶硅锭新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。
在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。
光刻蚀这是目前的芯片制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
掺杂在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。
重复这一过程
从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。
接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。
而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷(这种缺陷足以导致绝大多数的芯片瘫痪)，那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。在芯片的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。
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