OFweek半导体照明网讯 Power Integrations公司今日推出linkSwitch™-TN2离线式开关电源IC，新器件适用于输出电流在360mA以内的非隔离式电源应用。linkSwitch™-TN2器件可用来设计降压、降压-升压或非隔离反激拓扑变换器，能实现高精度、高效率以及出色的空载性能。新器件集成了全新的安全保护特性，包括输入和输出过压保护以及具有725V击穿电压的高可靠性MOSFET，可提供强大的输出短路和过热保护，防止输入浪涌和电压骤升。其应用范围包括家电、暖通空调(HVAC)、工业控制、智能家居(IOT)和电表系统，特别适用于销往印度和其他电网稳定性较差的国家或地区的产品。
linkSwitch-TN2 IC的电压调整精度优于-/+3%。如此高的精度可使设计者省去后级稳压器，有助于减少BOM元件数、提高效率并减小尺寸。新IC只需要再使用20个元件就可以完成降压变换器的设计，并且可以配置为使用市售标准电感，从而进一步降低成本并使供应链简单化。
新器件在小功率应用中具有极高的能效，例如在12V/120mA(1.4W)降压式设计中效率超过80%。linkSwitch-TN2设计在整个负载范围内通常可提供出色的效率，在降压式设计中空载功耗小于30mW，而在非隔离反激式设计中空载功耗小于10mW。对于规定了各工作模式能耗预算限值的总能耗(TEC)标准来说，该器件是帮助设计者轻松应对的利器。linkSwitch-TN2的效率优势可使厂商设计出的电源轻松满足全球产品能效标准，这些监管机构包括美国能源部、欧盟委员会ErP生态设计指令、加州能源委员会、ENERGYSTAR®等。
高级产品营销经理SilvestroFimiani表示：“我们的linkSwitch-TN2离线式变换器IC其逐周期工作的限流点可由设计者外部设定，从而允许选用低成本的电感和电容，进而节省成本和占板空间。设计者也可以对外围电路元件加以优化，以实现更大的输出功率。新器件内置一个性能强大的725V MOSFET，可使典型设计轻松耐受1kV的差模输入雷击浪涌，并且不需要额外使用抗雷击器件。”
link Switch-TN2IC提供三种不同的封装：PDIP-8C、SO-8C和SMD-8C。新器件现已开始供货，基于10,000片的订货量单价为每片0.60美元。
