三氯氢硅是生产多晶硅的重要原料，全世界多晶硅生产总量的80％以上采用改良西门子法，利用高纯三氯氢硅与氢气在cvd还原炉内进行化学气相沉积反应生成多晶硅，多晶硅的质量优劣很大程度上取决于三氯氢硅的纯度。光伏产业对三氯氢硅的纯度要求一般为6n以上，半导体行业则要求三氯氢硅的纯度达到9n甚至更高，杂质达到ppb级别。但是，通过氯化或冷氢化反应合成的三氯氢硅中杂质含量很高，金属杂质尤其是硼和磷杂质，对多晶硅的电学性能影响极大.如何有效去除三氯氢硅中硼、磷、碳等杂质，是提高多晶硅产品质量的最有效的途径，也是引领该行业技术创新的主要问题之一。
3.现有技术通过精馏的方式或者精馏与吸附相结合的方式除去三氯氢硅中的硼、磷杂质，实现三氯氢硅的提纯，由于吸附剂吸附过程中会放出热量，而吸附柱中吸附剂集中堆积，导致吸附柱散热效果下降，容易造成吸附柱局部超温，导致吸附效果下降，吸附剂失活，当吸附热过高时甚至引发安全事故。
4.因此如何解决吸附剂吸附过程中超温问题，保障吸附剂的正常运行成为该技术领域技术人员的难题。
硅单质及其化合物应用范围很广．三氯硅烷（SiHCl3）还原法是目前工业制高纯度硅的主要方法，生产过程如下
氯硅烷chlorosilane
硅烷SiH4中的氢原子被氯原子取代后，总称为氯硅烷，含氯量低时为气体，较高时为液体，无色或黄色，
通式为HnSiCl4-nn=0,1,2,3；
氯硅烷能与含活泼氢的化合物进行激烈反应，如与水、醇、酚、硅醇、有机酸等，放出氯化氢。
与有机金属化合物反应，氯原子被相应的有机基取代，生成有机氯硅烷或有机硅烷。
可由硅粉与氯化氢于290～400℃反应来制取，也可由硅粉与氢和氯化氢的混合物，
在氯化亚铜存在下，于250℃左右反应来制取。
用作硅外延片生产过程中的硅源及制备有机氯硅烷的原料。
此外，四氯化硅(SiCl4)和三氯硅烷(HSiCl3)是提取高纯度硅的的中间产物。分馏後，可以获得99.999999999%（十一个9)纯度的硅。
（1）硅原子结构示意图为，硅在元素周期表的位置为第三周期，第ⅣA族，最外层4个电子分布在3S、3P轨道上，能量不同；
故答案为：第三周期，第ⅣA族；2；
（4）硅的气态氢化物为SiH4，据价层电子对互斥理论得n=4，SP3杂化，分子构型为正四面体，
（3）三氯硅烷与氢气反应生成硅和氯化氢，方程式为：SiHCl3+H2
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故答案为：SiHCl3+H2
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（4）正长石改写成氧化物的形式为：K2O?AL2O3?6SiO2，
故答案为：K2O?AL2O3?6SiO2；
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