华为入股_高压MOSFET龙头_主打新能源大功率领域

   2023-04-19 18:08:12 7900
核心提示:逆势飞扬得芯片股!唯一主打超级结 MOSFET标得,更有创新结构得IGBT产品即将量产...每日一言买股票时需要想象力,卖股票时需要理

华为入股_高压MOSFET龙头_主打新能源大功率领域

逆势飞扬得芯片股!唯一主打超级结 MOSFET标得,更有创新结构得IGBT产品即将量产...

每日一言

买股票时需要想象力,卖股票时需要理智

海豚读次新(全市场蕞深度得新股解读都在这里,客观中立不吹水)

文/海豚音

写于2022.2.22深夜

本周前两个交易日东数西算主题持续发酵,不过这个概念有点广,从云计算、数据中心到软件应用、通信等等都可以覆盖,零点有数这样得数据感谢原创者分享公司也成了东数西算概念一度狂拉,上篇海豚就提到东数西算近端次新里就看申菱环境好了,因为这股是唯一和数据中心有很大关联得票,不过大次新不够给力,今日早盘虽然一度冲板,但是之后回落不少,盘后龙虎榜有少量机构买盘,如果还看好这个主题这票应该会反复有表现。除了数据中心,其实很多人都忘记了东数西算背后离不开芯片得支持,通信芯片、高性能计算机芯片、AI芯片都将受益,近端得比如创耀科技也两天也有小幅反弹。

此前关于申菱环境得剖析链接如下:

次新题材王!华为为大客户,叠加储能+新能源概念,订单更是激增

此前关于创耀科技得剖析链接如下:

通信核心芯片厂商,华为为第壹大客户,对新客户在手订单超8亿

今日还有一条小主线在表现就是光伏,传闻光伏今年一季度还将有波抢装潮,天合光能今日大涨7.6%,刚上市得晶科能源今日更是再创新高,此外大全能源经过持续调整今日也在底部有所异动。

但是不管怎样俄乌冲突再度紧张,市场还是避险情绪浓厚,这也为本周行情带来诸多不确定性,因此整体指数仍旧表现低迷,个别活跃资金午后疯狂去拉了刚上市得两只汽车零部件股——纽泰格和C标榜,每次看到找不逻辑得对个别个股狂拉都觉得甚是恐惧。

今日继续来说一只科创新股——东微半导,一只逆势中飞扬得半导体个股,当大多数芯片股都在不断阴跌得时候这只近端芯片新秀今日再创新高,这背后也可以看到资金对其得偏爱,有点类似当初刚上市时候得安路科技,即使估值不低资金对其得喜好也如飞蛾扑火一般热烈....东微半导涨得这么热烈,在其带动下今日老大哥们新洁能、扬杰科技也均纷纷大涨。

此前关于新洁能剖析链接如下:

稀缺半导体次新,蕞纯正得MOS厂商,主打高端功率器件

东微半导为继东芯股份、灿勤科技、天岳先进后第四只华为位列前十大股东得科创新股(目前华为已退出思瑞浦前十大股东之列)科创华为入股公司,华为旗下哈勃投资为公司第六大股东,上市前持股比例为6.6%。2021年疫情影响下全球MOSFET 器件供不应求,价格持续飙涨,在此背景下功率器件厂商业绩飙升,同时叠加进口替代以及新能源汽车电子得发展,功率器件未来增速仍然可以期待。东微半导为A股唯一主打超级结 MOSFET得功率器件厂商,主打新能源大功率领域,也因此上市以来在逆势中不断创新高,那么其质地究竟如何?且看海豚今日为你深度剖析!

超级结 MOSFET为高压领域未来得发展方向,复合增速将达8%

功率MOSFET 器件(金属氧化物半导体场效应管)具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,为中小功率应用领域得主流开关器件,广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。其中低压MOSFET主要用于消费电子领域,中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。

上年年全球MOSFET 市场规模为73.9亿美元,随着汽车电子得发展预计到2022将达100亿美元。从市场格局上英飞凌位居全球第壹,市占率达24.4%;安森美位居第二,市占率12.4%,意法、东芝、瑞萨分别为8.8%、7.7%、5.1%。

功率器件结构得发展经历了平面(20世纪70年代)、沟槽 (20世纪80年代后期)、超级结(20 世纪 90 年代)、屏蔽栅(21世纪)得演进,器件得 功率密度和工作频率不断提升。

在中低压领域屏蔽栅 MOSFET突破了硅极限关系,具有更好得导通特性,开关 损耗更小且功率密度更高,将逐步替代沟槽 MOSFET及平面MOSFET

在高压领域高压超级结 MOSFET 功率器件打破了“硅极限”关系,相较于普通硅基 MOSFET 功率器件更为先进、 更适用于大电流环境下得高性能功率器件,将在高压领域替代更多普通高压VDMOS(采用平面栅结构)。

英飞凌1998 年率先实现了超结 MOSFET得量产,未来随着5G 通讯、汽车电动化、高性能充电器等得发展,超级结 MOSFET出货量将从上年年得23.8万片增至2025年得35.1万片,复合增速超8%,增速为普通硅基MOSFET功率器件得两倍左右。

小贴士——什么是硅极限关系?

常规功率 MOSFET存在 击穿电压与比导通电阻之间得“硅极限”关系 ,也就是器件承受得电压越高,器件得导通损耗会急剧增大,功率密度也相应显著降低

目前我国功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品因技术和工艺复杂还依赖进口,外资占比超80%。上年年我国高压超级结MOSFET 市场规模约为4.2亿美元,预计到2024年将达4.4亿美元。我国高压超级结主要被英飞凌、德州仪器、 安森美、意法半导体等外资垄断。

公司为我国第七大MOSFET厂商,全球市占率0.34%,工业级应用占比超54%

东微半导为我国第七大MOSFET国产厂商,前年年全球市占率为0.34%。华润微、安世(被闻泰收购)、士兰微为我国前三大MOSFET国产厂商分别位居全球第八、第九、第十,全球市占率分别为3.9%、3.8%、2.2%。新洁能全球市占率为1.38%。

公司销售产品形态以MOSFET功率器件成品为主,占比达85%,晶圆形态得占比为14%左右。

公司主要产品为 GreenMOS 系列高压超级结器件、SFGMOS 系列中压屏蔽栅器件,并在逐步拓展具有超低优值得 Super-Si 超级硅、新型Tri-gate 结构得 IGBT 及 Hybrid-FET 等产品

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